BASEUS Cargador GaN2 de carga rapida 120 w
El cargador de carga rapida GaN2, es un cargador de pared con una potencia de 120w. Está fabricado a partir de GaN (Nitrurio de Galio) es un material semiconductor similar al cristal capaz de conducir electrones 1000 veces más eficiente que el silicio, este material puede agrupar los transistores más cerca, siendo posible conseguir una mayor potencia de procesamiento en un espacio más reducido. La tecnología GaN puede proporcionar la máxima velocidad de carga para el 96% de los dispositivos es compatible con los principales protocolos de carga rápida, tales como PD 3.0, QC4.0 +, QC3.0, SCP, FCP, AFC, entre otros. El cargador gan Baseus 120W, logra una salida máxima de 120W, cargando dispositivos USB-c a velocidades altas. Además, su potencia de carga compartida de dos puertos puede alcanzar los 100 W. Su tecnología llamada BPS ajusta de forma inteligente
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